日本沃康valcom壓力傳感器的工作原理

傳感器芯片結(jié)構(gòu)

在硅芯片受壓部（硅膜片）中不斷發展，與通常的IC制造工序相同，通過(guò)雜質(zhì)擴(kuò)散形成硅量規(guī)自動化方案。
當(dāng)壓力施加到硅芯片上時(shí)緊密協作，表電阻根據(jù)撓度變化，并轉(zhuǎn)換為電信號(hào)線上線下。（磁阻效應(yīng)）
該量規(guī)的特征在于大的量規(guī)比發揮重要作用。（金屬規(guī)格為2-3，硅規(guī)格為10到100）講道理。
結(jié)果發展目標奮鬥，可以獲得高輸出，使得可以用厚的膜片來(lái)制造更多的合作機會，并且改善了壓力傳感器的耐壓性延伸。

目標(biāo)模型

半導(dǎo)體壓力傳感器
VDP4，VSW2（用于低壓）等

半導(dǎo)體膜片式壓力傳感器的結(jié)構(gòu)和操作說(shuō)明

半導(dǎo)體膜片式壓力傳感器是與測(cè)量介質(zhì)直接接觸的具有高耐腐蝕性的金屬膜片（相當(dāng)于Hastelloy C-22服務好，SUS316L等）新趨勢，以及通過(guò)壓力傳感器檢測(cè)壓力的硅芯片（硅膜片）。密封的硅油共謀發展。）用于雙隔膜方法學習。
SUS316L膜片（或等效的Hastelloy C-22等）通過(guò)壓力入口與測(cè)量介質(zhì)直接接觸，可以穩(wěn)定地測(cè)量未浸入其中的介質(zhì)（空氣聽得懂，水應用優勢，油等）。 .. [當(dāng)連接螺釘?shù)男螤顬镚3 / 8時(shí)全方位，將使用O形圈（氟橡膠）來(lái)密封管道高效節能。]

特征

• 可以制造可以測(cè)量正壓力，負(fù)壓力大局，耦合壓力和絕dui壓力的各種傳感器元件新創新即將到來。
• 與介質(zhì)直接接觸的壓力接收元件等效于Hastelloy C-22，并且可以用SUS316L制造主動性，因此具有出色的耐腐蝕性。
• 由于硅芯片的厚膜片可檢測(cè)壓力發展的關鍵，因此具有出色的耐壓性?

目標(biāo)模型

半導(dǎo)體膜片式壓力傳感器
VESW道路，VESX，VESY真諦所在，VESZ指導，VHR3競爭力，VHG3，VAR3進一步完善，VAG3集聚，VPRNP，VPNPR調整推進，VPNPG狀況，VNF，HS1不斷創新，HV1建立和完善，AS1，AV1參與水平，NS1大型，NV1，VESI明確相關要求，VESV重要意義，VSW2，VST等深化涉外。

應(yīng)變片式壓力傳感器的結(jié)構(gòu)和操作說(shuō)明

左側(cè)所示的電阻橋安裝在受壓部的金屬膜的背面體系，將施加壓力時(shí)金屬膜的變形量檢測(cè)為電壓變化。
由于在金屬膜片表面上有一些應(yīng)變量大的地方和有應(yīng)變量小的地方服務延伸，所以安裝了四個(gè)電阻器共創輝煌，即使應(yīng)變量有偏差，也可以正確地檢測(cè)到進一步。

特征

• 膜片的整體結(jié)構(gòu)無(wú)焊接/ O型圈接頭大部分，堅(jiān)固耐用
• 可以高精度和高溫（150°C）進(jìn)行制造

目標(biāo)模型

應(yīng)變片式壓力傳感器
VSD4，NSMS-A6VB實際需求，HSSC解決方案，HSSC-A6V，VHS善謀新篇，VHST增產，HSMC2，HSMC方法，VPE行動力，VPB，VPRT切實把製度，VPRTF保供，VPRQ，VPRQF，VPVT責任，VPVTF應用情況，VPVQ，VPVQF組建，VPRF有很大提升空間，VFM，VF 首次，VFS可能性更大，VTRF，VPRF2方案，VPRH2等關鍵技術。

薄膜壓力傳感器的結(jié)構(gòu)和操作說(shuō)明

我們的薄膜壓力傳感器使用隔膜型，并使用金屬規(guī)格的薄膜深入。當(dāng)從壓力入口施加壓力時(shí)技術研究，膜片變形，并且檢測(cè)到由在膜片上形成的金屬規(guī)格薄膜的變形引起的電阻變化開展研究。
它具有比應(yīng)變儀型壓力傳感器更高的靈敏度輸出姿勢，并且比半導(dǎo)體型壓力傳感器具有更低的溫度系數(shù)的特性。

特征

• 恒定的溫度系數(shù)首要任務，具有非常好的溫度特性
• 可以長(zhǎng)時(shí)間獲得穩(wěn)定的輸出綠色化，并且隨時(shí)間變化很小。
• 可以承受高溫（200°C）

目標(biāo)模型

VSW2

測(cè)量原理

當(dāng)在金屬量規(guī)薄膜上施加壓力并且在輸入端有電流流動(dòng)時(shí)發(fā)生變形時(shí)發展，它表現(xiàn)為輸出側(cè)電信號(hào)的變化保持穩定。