日本沃康valcom壓力傳感器的工作原理

傳感器芯片結(jié)構(gòu)

在硅芯片受壓部（硅膜片）中，與通常的IC制造工序相同快速融入，通過雜質(zhì)擴(kuò)散形成硅量規(guī)帶動產業發展。
當(dāng)壓力施加到硅芯片上時(shí)，表電阻根據(jù)撓度變化發揮作用，并轉(zhuǎn)換為電信號。（磁阻效應(yīng)）
該量規(guī)的特征在于大的量規(guī)比系統。（金屬規(guī)格為2-3，硅規(guī)格為10到100）規模。
結(jié)果逐步顯現，可以獲得高輸出，使得可以用厚的膜片來制造，并且改善了壓力傳感器的耐壓性發行速度。

目標(biāo)模型

半導(dǎo)體壓力傳感器
VDP4，VSW2（用于低壓）等

半導(dǎo)體膜片式壓力傳感器的結(jié)構(gòu)和操作說明

半導(dǎo)體膜片式壓力傳感器是與測量介質(zhì)直接接觸的具有高耐腐蝕性的金屬膜片（相當(dāng)于Hastelloy C-22強大的功能，SUS316L等）積極拓展新的領域，以及通過壓力傳感器檢測壓力的硅芯片（硅膜片）。密封的硅油與時俱進。）用于雙隔膜方法應用。
SUS316L膜片（或等效的Hastelloy C-22等）通過壓力入口與測量介質(zhì)直接接觸，可以穩(wěn)定地測量未浸入其中的介質(zhì)（空氣更優質，水成就，油等）。 .. [當(dāng)連接螺釘?shù)男螤顬镚3 / 8時(shí)項目，將使用O形圈（氟橡膠）來密封管道多種方式。]

特征

• 可以制造可以測量正壓力，負(fù)壓力實施體系，耦合壓力和絕dui壓力的各種傳感器元件臺上與臺下。
• 與介質(zhì)直接接觸的壓力接收元件等效于Hastelloy C-22，并且可以用SUS316L制造技術創新，因此具有出色的耐腐蝕性效高性。
• 由于硅芯片的厚膜片可檢測壓力，因此具有出色的耐壓性?

目標(biāo)模型

半導(dǎo)體膜片式壓力傳感器
VESW技術發展，VESX重要的作用，VESY，VESZ自動化，VHR3重要的意義，VHG3，VAR3規模最大，VAG3關註度，VPRNP，VPNPR重要手段，VPNPG穩中求進，VNF，HS1不折不扣，HV1再獲，AS1穩定性，AV1，NS1發展空間，NV1創造性，VESI，VESV就此掀開，VSW2能力，VST等。

應(yīng)變片式壓力傳感器的結(jié)構(gòu)和操作說明

左側(cè)所示的電阻橋安裝在受壓部的金屬膜的背面創造更多，將施加壓力時(shí)金屬膜的變形量檢測為電壓變化還不大。
由于在金屬膜片表面上有一些應(yīng)變量大的地方和有應(yīng)變量小的地方好宣講，所以安裝了四個(gè)電阻器連日來，即使應(yīng)變量有偏差，也可以正確地檢測到不斷進步。

特征

• 膜片的整體結(jié)構(gòu)無焊接/ O型圈接頭信息化技術，堅(jiān)固耐用
• 可以高精度和高溫（150°C）進(jìn)行制造

目標(biāo)模型

應(yīng)變片式壓力傳感器
VSD4，NSMS-A6VB認為，HSSC責任製，HSSC-A6V，VHS良好，VHST雙重提升，HSMC2，HSMC倍增效應，VPE結果，VPB，VPRT重要意義，VPRTF規則製定，VPRQ，VPRQF引領，VPVT表現明顯更佳，VPVTF，VPVQ優化服務策略，VPVQF技術先進，VPRF，VFM技術節能，VF 數字化，VFS，VTRF加強宣傳，VPRF2敢於監督，VPRH2等對外開放。

薄膜壓力傳感器的結(jié)構(gòu)和操作說明

我們的薄膜壓力傳感器使用隔膜型，并使用金屬規(guī)格的薄膜組建。當(dāng)從壓力入口施加壓力時(shí)用的舒心，膜片變形，并且檢測到由在膜片上形成的金屬規(guī)格薄膜的變形引起的電阻變化深入交流研討。
它具有比應(yīng)變儀型壓力傳感器更高的靈敏度輸出模式，并且比半導(dǎo)體型壓力傳感器具有更低的溫度系數(shù)的特性。

特征

• 恒定的溫度系數(shù)集聚效應，具有非常好的溫度特性
• 可以長時(shí)間獲得穩(wěn)定的輸出貢獻，并且隨時(shí)間變化很小。
• 可以承受高溫（200°C）

目標(biāo)模型

VSW2

測量原理

當(dāng)在金屬量規(guī)薄膜上施加壓力并且在輸入端有電流流動時(shí)發(fā)生變形時(shí)提升，它表現(xiàn)為輸出側(cè)電信號的變化持續。