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hrd-thermal設(shè)備SiC多晶的熱射流率分布案列介紹

發(fā)布時間:2022-07-08 點擊量:817

hrd-thermal設(shè)備SiC多晶的熱射流率分布案列介紹


測量了 SiC 多晶(陶瓷)的熱射流率分布,并可視化了燒結(jié)體微米級的熱射流率分布集成技術。此外新創新即將到來,可以測量作為寬帶隙材料的 GaN 和金剛石。

現(xiàn)在可以以微米量級的分辨率測量各種材料的熱特性(熱導(dǎo)率/熱流出率)分布創新的技術。通過評估材料的熱性能(導(dǎo)熱率/熱流出率)分布設計能力,可以預(yù)期高導(dǎo)熱材料的特性將得到顯著改善。

碳化硅材料導(dǎo)熱系數(shù) [Wm -1 K -1 ]熱射流率 [Js -0.5 m -2 K -1 ]
4H-C碳化硅44030,400
6H-C SiC單晶36628,100
碳化硅單晶27424,200

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AlN的熱射流率分布評估有序推進,可以確認(rèn)適應性,AlN 的壓痕部分的熱擴散率低。

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