什么是全封閉氣體分析方法落地生根？

全封閉氣體分析方法是一種基于新概念的氣體分析方法，結(jié)合了我們的“超低釋氣殘余氣體分析儀WATMASS"技術(shù)和“超低除氣真空結(jié)構(gòu)材料（0.2%BeCu合金）"技術(shù)健康發展。
通過(guò)巧妙地利用 WATMASS 的泵作用建設項目，我們規(guī)劃和提出了新的氣體分析儀。
使用非常小的樣品落實落細，可以通過(guò)施加各種刺激來(lái)檢查通過(guò)發(fā)射的氣體成分的現(xiàn)象，例如光子照射（例如X射線高效化，紫外線和可見(jiàn)光）製高點項目，電子和離子的帶電粒子的照射，加熱和機(jī)械沖擊範圍和領域。 我們將根據(jù)您的需求提供有所增加。

上圖所示的設(shè)備氣體分析儀在懷疑由于氣密性不全面而存在缺陷時(shí)，檢查具有N2大氣壓密封的紅外傳感設(shè)備的密封性更高要求。 目前越來越重要的位置，密封性測(cè)試是通過(guò)在高于大氣壓的壓力下將He注入設(shè)備中進(jìn)行的，然后在壓力降低時(shí)使用檢漏儀檢查泄漏的He共同學習。 下圖中的示例是使用設(shè)備樣品進(jìn)行的測(cè)試順滑地配合，該樣品被判斷為有缺陷，但在這種傳統(tǒng)檢查方法中找不到泄漏效高。 在測(cè)試中前沿技術，He在相同條件下被壓到樣品上。 將樣品移入大氣中系統穩定性，立即置于加熱至100°C的測(cè)量室中拓展基地，在烘烤10分鐘時(shí)耗盡，然后通過(guò)強(qiáng)制風(fēng)冷降至室溫實力增強。 樣品輸入后體系流動性，大約需要30分鐘才能達(dá)到分析狀態(tài)。 然后打開(kāi)閥門(mén)V2進(jìn)行全面密封的氣體分析帶來全新智能。 由于N2與CO具有相同的質(zhì)量數(shù)實現了超越，因此由N監(jiān)測(cè)。 如果加壓的He在樣品中更優質，即使氣體在30分鐘內(nèi)釋放出來(lái)相對開放，我預(yù)計(jì)He也會(huì)泄漏與N2混合。 結(jié)果如下圖所示的趨勢(shì)。 樣品中氦泄漏量極少拓展應用，為1.7×10-15Pa·m3/s生產創效。 市售檢漏儀無(wú)法檢測(cè)到這一點(diǎn)。 相比之下管理，根據(jù)WATMASS氮監(jiān)測(cè)器的平衡壓力（閥門(mén)打開(kāi)后30 min）確定的氮泄漏量為7.5×10-13Pa·m3/s優化上下。 即使沒(méi)有傳統(tǒng)的He壓接+檢漏儀檢測(cè)，也只能通過(guò)N2的直接檢漏來(lái)確定樣品中是否存在泄漏模樣。 全封閉氣體分析方法使設(shè)備密封性測(cè)試比傳統(tǒng)方法更簡(jiǎn)單生產體系、更靈敏。

如果測(cè)量室由0.2%的鈹銅合金制造很重要，則可以制備帶有內(nèi)置錸絲加熱器的分析儀能力和水平，該分析儀利用合金的低輻射和高導(dǎo)熱性能。 在引入樣品之前異常狀況，當(dāng)測(cè)量室達(dá)到超高真空時(shí)研究，該加熱器在高溫（>1200°×C）下沖洗幾秒鐘，加熱系統(tǒng)的脫氣瞬間完成應用創新。 我會(huì)的提高。 測(cè)量室的墻壁是低輻射（~0.03）的墻壁，因此在閃蒸過(guò)程中不吸收輻射熱的特性。 然后將樣品移至測(cè)量室（需要一個(gè)簡(jiǎn)單的閘閥）交流。 隨著錸絲溫度的緩慢升高，樣品的TDS（熱解吸氣體光譜）測(cè)量成為可能提供堅實支撐。 理想情況下形勢，應(yīng)使用約φ0.5的熱電偶來(lái)固定樣品。 由于測(cè)量室具有低輻射和高熱傳導(dǎo)取得明顯成效，因此壁溫不會(huì)升高選擇適用，只能測(cè)量樣品的釋氣。 如果樣品的釋氣量很大設計，則可以使用上圖所示的封閉離子源WATMASS和差分排氣進(jìn)行測(cè)量業務指導。 該儀器可以進(jìn)行定量分析，因?yàn)?WATMASS 和測(cè)量室的氣體排放很小就此掀開。

傳統(tǒng)上長足發展，超高真空結(jié)構(gòu)烘烤脫氣后的除氣速率通過(guò)吞吐量法或氣體積累法測(cè)量。 兩種測(cè)量的除氣率都很低穩步前行，為10-9Pa·m3 / s或更低結構不合理，因此表面積必須很大。 這需要大量的設(shè)備逐步改善、時(shí)間和金錢(qián)意見征詢。 該氣體分析儀取代了它提升。 將帶有ICF70長(zhǎng)度約100毫米的樣品連接到WATMASS。 烘烤后的必然要求，當(dāng)V1和V2關(guān)閉并且壓力變得恒定時(shí)研究成果，可以精確測(cè)量殘余氣體的峰值強(qiáng)度。 當(dāng)V1和V2閥均關(guān)閉時(shí)完善好，分析儀管穩(wěn)定在約2~3×10-7Pa的超高真空下大面積。 即使持續(xù)一年，這種情況也不會(huì)改變問題分析。 這是因?yàn)?WATMASS 自身的輕微抽水動(dòng)作足以保持超高真空培養。 此時(shí)的殘余氣體由三部分組成：H1、CH2和CO更加完善。 根據(jù) WATMASS 的排氣速度確定每種氣體的除氣速度形式，QH4 = 3.2×8-8 Pa·m 10/s，QCH133.4×1-2Pa·m 10/s支撐作用，QCO=13.3× 它將是 1-0Pa·m10/s信息。 接下來(lái)，當(dāng)V13打開(kāi)時(shí)大力發展，一旦壓力上升，它漸近到一定的壓力值（更高）生產效率，并在抽速和除氣速度相等時(shí)穩(wěn)定下來(lái)建言直達。 增加的是樣品的除氣速率。 即使對(duì)于背景最高的氫氣將進一步，如果脫氣速率為3×2-1Pa·m10/s或更高充分發揮，也可以確定除氣速率。 由于樣品的表面積約為12.3 m 0成就，因此為1-2 Pa?m10/s÷12.3 m0 = 1-2Pa?m / s重要方式。 該值是全封閉氣體分析方法可靠要求的氫氣除氣速率。 由于該方法使用外部加熱系統，因此可以通過(guò)改變樣品的溫度并在Arrhenius圖上對(duì)其進(jìn)行評(píng)估來(lái)進(jìn)一步提高測(cè)量精度非常重要。 TDS測(cè)量也是可能的。

氣體分析是通過(guò)將非常小的零件中所含的氣體膨脹到真空中進(jìn)行的空間廣闊，例如減壓密封MEMS的氣體分析和玻璃細(xì)小氣泡的分析營造一處。 破壞方法因要分析的樣品而異，但在MEMS示例中知識和技能，測(cè)試了含有約0~08Pa的N3和Kr混合氣體取得顯著成效，體積約為600.700mm2的MEMS芯片，以查看氣體是否按規(guī)定填充實現。 在銷毀裝置的情況下不容忽視，鎢針被壓在線性引入器上以破解芯片組織了。 芯片擊穿后，測(cè)量室中的壓力顯示為4.2×10-5Pa說服力，根據(jù)該值搶抓機遇，可以確定壓力幾乎處于規(guī)定壓力。 但是逐漸顯現，如果芯片中存在泄漏全會精神，則N2是主要成分，其他氣體消失拓展基地。 使用相同的方法集中展示，可以對(duì)玻璃中捕獲的氣泡（大氣壓）進(jìn)行氣體分析。 該全封閉氣體分析儀的體積約為0.3L體系流動性，實(shí)際最小檢測(cè)分壓為10-9Pa探索創新，因此可以測(cè)量直徑達(dá)2~3μm的氣泡。