半導(dǎo)體制造車間對溫濕度的控制及露點設(shè)備推薦

在半導(dǎo)體制造中講故事，水一直是影響較大的污染物之一廣度和深度，統(tǒng)計顯示，不符合工況要求的水分造成的損失占損失的 25%基礎。為避免產(chǎn)品質(zhì)量和產(chǎn)量出現(xiàn)問題日漸深入，在半導(dǎo)體制造過程中必須尤為謹(jǐn)慎地監(jiān)測濕度和溫度水平。如濕度是硅晶圓生產(chǎn)過程中關(guān)鍵的因素引領作用，如果空氣太干燥預期，靜電就會成為問題。

半導(dǎo)體、微電路和微芯片制造需要在制造/加工區(qū)域保持非常精確的條件加強宣傳。用于半導(dǎo)體組裝或加工的元件通常具有吸濕性，因此極易受到高濕度條件的影響對外開放。

吸濕成分可以導(dǎo)致：

晶圓制造區(qū)域：在晶圓制造過程中適應能力，旋轉(zhuǎn)器將顯影劑噴射到晶圓表面，使晶圓上的溶劑迅速蒸發(fā)節點，從而冷卻晶圓表面快速增長。這導(dǎo)致空氣中的水蒸氣凝結(jié)在晶片表面上。晶圓上多余的水會導(dǎo)致顯影劑的特性發(fā)生變化⊥ㄟ^活化？刮g劑還會吸收水分開放以來，導(dǎo)致聚合物膨脹。將相對濕度控制在 30% 可以消除將晶圓表面冷卻至晶圓表面周圍空氣露點以下的可能性防控，從而防止故障和損壞組合運用。

光刻室：光刻室的條件需要保持在 20% 至 35% RH 之間，溫度約為 700°F高質量。過多的水分會導(dǎo)致二氧化硅吸收水分研究與應用，導(dǎo)致光刻膠粘附不當(dāng)，從而導(dǎo)致應(yīng)力斷裂和表面缺陷迎難而上。

真空抽氣速度更快：如果濕度較高要素配置改革，低溫泵等真空設(shè)備的運行會因水蒸氣負(fù)荷較大而減慢。如果 RH 水平能夠維持在 30-35% 左右溝通機製，則可大大降低無障礙，從而提高批處理速度。助力各行。

TK-100 在線露點儀的傳感器經過，采用的是 靜電容量式原理。 

當(dāng)水分子被夾在兩個導(dǎo)電層之間的多孔絕緣層 吸收時互動互補，上導(dǎo)電層與下導(dǎo)電層之間的電容將會 產(chǎn)生變化核心技術體系。 

該電容量通過傳感器內(nèi)部電路被線性的轉(zhuǎn)換為露點 的模擬信號。 吸濕水分的絕緣層厚度為 0.5 μm 以下力度，上層導(dǎo)電金屬層厚度為 0.1 μm 以下新產品，即使少量 水分的吸附也可迅速反應(yīng)。 

擁有如此薄度的同時持續發展，傳感器仍保持優(yōu)秀的強韌及耐久性更加廣闊。

■   靜電容式露點儀

■   測量范圍：-100~20℃dp

■   精度：±2℃dp

■   短交貨期

采用先進的傳感器技術(shù)

應(yīng)用：半導(dǎo)體、液晶全面革新、電池勞動精神、電子行業(yè)