圖中可以看出存在e求得平衡，e1, e2, e3四種電子，除此之外空間廣闊，還存在Ar和其分離出的Ar+離子 至關重要；施加電場E，方向向下雙重提升；靶材置于陰極戰略布局。

電子在電場E的作用下表現明顯更佳，在飛向基片過程中與氬原子發(fā)生碰撞狀態，使其電離產(chǎn)生出Ar正離子和新的電子；新電子飛向基片指導，Ar離子在電場作用下加速飛向陰極靶廣泛認同，并以高能量轟擊靶表面，使靶材發(fā)生濺射流動性。

在濺射粒子中鍛造，中性的靶原子或分子沉積在基片上形成薄膜，而產(chǎn)生的二次電子會(huì)受到電場和磁場作用具體而言，產(chǎn)生E（電場）×B（磁場）所指的方向漂移工具，簡稱E×B漂移，其運(yùn)動(dòng)軌跡近似于一條擺線喜愛。若為環(huán)形磁場重要的角色，則電子就以近似擺線形式在靶表面做圓周運(yùn)動(dòng)，它們的運(yùn)動(dòng)路徑不僅很長向好態勢，而且被束縛在靠近靶表面的等離子體區(qū)域內(nèi)平臺建設，并且在該區(qū)域中電離出大量的Ar 來轟擊靶材，從而實(shí)現(xiàn)了高的沉積速率。

隨著碰撞次數(shù)的增加使用，二次電子的能量消耗殆盡大幅拓展，逐漸遠(yuǎn)離靶表面，并在電場E的作用下最終沉積在基片上更加堅強。由于該電子的能量很低與時俱進，傳遞給基片的能量很小，致使基片溫升較低初步建立。

入射粒子在靶中經(jīng)歷復(fù)雜的散射過程，和靶原子碰撞各有優勢，把部分動(dòng)量傳給靶原子，此靶原子又和其他靶原子碰撞重要的意義，形成級(jí)聯(lián)過程持續。在這種級(jí)聯(lián)過程中某些表面附近的靶原子獲得向外運(yùn)動(dòng)的足夠動(dòng)量，離開靶被濺射出來再獲。

磁控濺射一般分為二種：直流濺射和射頻濺射，其中直流濺射設(shè)備原理簡單體驗區，在濺射金屬時(shí)增多，其速率也快。而射頻濺射的使用范圍更為廣泛有望，除可濺射導(dǎo)電材料外進一步推進，也可濺射非導(dǎo)電的材料，同時(shí)還司進(jìn)行反應(yīng)濺射制備氧化物方案、氮化物和碳化物等化合物材料應用的選擇。若射頻的頻率提高后就成為微波等離子體濺射，常用的有電子回旋共振(ECR)型微波等離子體濺射科普活動。