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CS-1 晶片內(nèi)位錯(cuò)檢測(cè)儀產(chǎn)品介紹

發(fā)布時(shí)間:2024-05-21 點(diǎn)擊量:666

CS-1 晶片內(nèi)位錯(cuò)檢測(cè)儀產(chǎn)品介紹

"Crystalline Tester CS1"是非破壞性競爭力、非接觸式檢測(cè)可見(jiàn)光(波長(zhǎng)400~800nm)透明性晶體材料中由于殘留的缺陷、應(yīng)力引起的晶格畸變后分布情況的便捷式檢測(cè)設(shè)備逐步改善。通過(guò)本設(shè)備可以實(shí)現(xiàn)快速特點、準(zhǔn)確地把握目檢下無(wú)法看到的晶體晶格畸變的狀態(tài)。

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產(chǎn)品特征

產(chǎn)品特長(zhǎng)

  1. 高速測(cè)量(6" 襯底 90秒)
    ?可以最快速度簡(jiǎn)捷方式觀察殘留應(yīng)力分布落實落細。

  2. 縱向結(jié)晶評(píng)價(jià)
    ?因?yàn)槭峭敢曅徒Y(jié)晶評(píng)價(jià)裝置意見征詢,所以不只可以觀察襯底表面,還可以觀察包括Z軸方向的晶圓所有部位深入闡釋。

  3. 可取得與X-Ray Topography imaging comparison同等測(cè)試效果
    ?可以取得同等測(cè)試效果集聚,實(shí)現(xiàn)高速低成本。

  4. 價(jià)格競(jìng)爭(zhēng)力
    ?在晶片測(cè)量裝置中自動化裝置,屬于性價(jià)比好的一款系統(tǒng)狀態。

可測(cè)量材料

  1. SiC單晶襯底、及SiC外延襯底

  2. GaN單晶襯底關規定、及GaN外延襯底

  3. AlN單晶襯底更多的合作機會、及AlN外延襯底

  4. 可視光可透視、有雙折射效果的結(jié)晶均可指導。

測(cè)試效果不佳材料

?無(wú)可視光透視性材料:Si可以使用、GaAs等
?無(wú)雙折射效果材料:藍(lán)寶石、Ga2O3 等

CS1畫(huà)像と目視畫(huà)像との比較


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