一大面積、超高亮度與精密缺陷檢測能力

1. 突破性照度水平
   YP-250I提供超過400,000 Lux的亮度，顯著提升晶片表面微小缺陷（如劃痕問題分析、顆粒培養、裂紋、拋光不均等）的對比度更加完善，即使是0.2 μm級別的微觀缺陷也能清晰顯現(xiàn)形式。這種高亮度支持光學(xué)顯微鏡和自動(dòng)光學(xué)檢測（AOI）系統(tǒng)快速捕捉細(xì)節(jié)，減少漏檢風(fēng)險(xiǎn)支撐作用。

2. 冷光源與熱管理技術(shù)

• 冷鏡技術(shù)：通過濾除90%以上的紅外輻射日漸深入，將熱效應(yīng)對晶片的影響降至傳統(tǒng)鋁鏡的1/3，避免因熱變形導(dǎo)致檢測誤差同時。

• 強(qiáng)制排氣冷卻系統(tǒng)：采用螺旋式風(fēng)扇或管道通風(fēng)設(shè)計(jì)互動式宣講，確保長時(shí)間運(yùn)行時(shí)照度波動(dòng)低于2%，保障檢測穩(wěn)定性模式。

二開展、靈活適配復(fù)雜檢測需求

1. 多模式切換與光束調(diào)節(jié)

• 兩級照度模式：通過按鈕快速切換高/低亮度觀察模式，適應(yīng)宏觀整體掃描（如晶片表面均勻性評估）和微觀結(jié)構(gòu)分析（如光刻膠涂布細(xì)節(jié)）發揮重要帶動作用。

• 光束直徑可調(diào)：30-50 mm范圍內(nèi)靈活調(diào)整光束直徑意向，適配不同尺寸晶片或局部重點(diǎn)檢測需求。

2. 兼容性與光源多樣性

• 支持黃光和白光兩種光源文化價值，優(yōu)化對不同材料（如硅片形式、砷化鎵、碳化硅）的反光特性適應(yīng)能力不斷完善。

• 可搭配顯微鏡數字化、AOI設(shè)備、工業(yè)相機(jī)等多種檢測工具營造一處，覆蓋晶圓制造全流程（從CMP工藝到封裝前終檢）改革創新。

三、標(biāo)準(zhǔn)化與高效生產(chǎn)支持

1. 檢測環(huán)境一致性
   光源色溫穩(wěn)定在3400K取得顯著成效，照度均勻性通過ISO認(rèn)證新模式，確保批次間檢測結(jié)果的可比性，減少因光照波動(dòng)引發(fā)的誤判不容忽視。

2. 自動(dòng)化產(chǎn)線適配性

• 專為8英寸晶片設(shè)計(jì)（YP-150I適配6英寸）組織了，覆蓋主流半導(dǎo)體制造規(guī)格，φ60 mm的照度范圍滿足大尺寸晶片高速掃描需求說服力。

• 支持高速AOI系統(tǒng)搶抓機遇，縮短單次檢測停留時(shí)間，提升產(chǎn)線效率30%-50%。

四全面闡釋、行業(yè)價(jià)值與風(fēng)險(xiǎn)控制

• 缺陷攔截前移：在晶圓制造早期階段（如光刻非常激烈、拋光）精準(zhǔn)識別缺陷，降低后期封裝環(huán)節(jié)的廢品率引人註目，半導(dǎo)體行業(yè)應(yīng)用可減少30%以上返工成本領域。

• 數(shù)字化升級支持：為AI視覺檢測算法提供高信噪比圖像，提升算法訓(xùn)練效率和識別準(zhǔn)確率好宣講。

總結(jié)：YP-250I通過“極限亮度+精準(zhǔn)熱控制+多場景適配"的技術(shù)組合註入新的動力，成為半導(dǎo)體晶片檢測的核心工具，尤其在高精度、高風(fēng)險(xiǎn)的先進(jìn)制程中具備不可替代性雙重提升。其設(shè)計(jì)兼顧效率與穩(wěn)定性，為半導(dǎo)體制造良率提升和成本控制提供了可靠保障品牌。