日本napson硅片晶圓平整度測(cè)量系統(tǒng)

產(chǎn)品型號(hào)： FLA-200

所屬分類：

產(chǎn)品時(shí)間：2025-08-02

簡(jiǎn)要描述：日本napson硅片晶圓平整度測(cè)量系統(tǒng)FLA-200
非接觸式平面度/厚度測(cè)量系統(tǒng)共同努力。測(cè)量晶片樣品的平整度（TTV行業內卷，BOW，WARP）和厚度逐漸完善。
-支持測(cè)量厚度參與能力，TTV，BOW是目前主流，翹曲充分發揮，場(chǎng)地平面度和整體平面度（符合ASTM）
?支持2-D和3-D映射顯示的軟件
?數(shù)據(jù)可以輸出為CSV文件
?使用5mmφ芯電容探頭進(jìn)行高精度測(cè)量
? 60秒內(nèi)進(jìn)行12,000點(diǎn)掃描/高速測(cè)量

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日本napson硅片晶圓平整度測(cè)量系統(tǒng)FLA-200

產(chǎn)品特點(diǎn)

非接觸式平面度/厚度測(cè)量系統(tǒng)。測(cè)量晶片樣品的平整度（TTV充分發揮，BOW選擇適用，WARP）和厚度。

• -支持測(cè)量厚度設計，TTV業務指導，BOW，翹曲，場(chǎng)地平面度和整體平面度（符合ASTM）
• ?支持2-D和3-D映射顯示的軟件
• ?數(shù)據(jù)可以輸出為CSV文件
• ?使用5mmφ芯電容探頭進(jìn)行高精度測(cè)量
• ? 60秒內(nèi)進(jìn)行12,000點(diǎn)掃描/高速測(cè)量

測(cè)量目標(biāo)

?半導(dǎo)體/太陽(yáng)能電池材料相關(guān)（硅長足發展，多晶硅今年，SiC等）
?硅基外延，離子注入樣品
?化合物半導(dǎo)體相關(guān)（GaAs Epi結構不合理，GaN Epi動手能力，InP，Ga等）

測(cè)量尺寸

3-8英寸

測(cè)量范圍

厚度：200 –1200μm
弓形：+/- 350μm
翹曲：350μm

產(chǎn)品特點(diǎn)

非接觸式平面度/厚度測(cè)量系統(tǒng)意見征詢。測(cè)量晶片樣品的平整度（TTV提升，BOW，WARP）和厚度示範。

• -支持測(cè)量厚度應用前景，TTV，BOW運行好，翹曲首次，場(chǎng)地平面度和整體平面度（符合ASTM）
• ?支持2-D和3-D映射顯示的軟件
• ?數(shù)據(jù)可以輸出為CSV文件
• ?使用5mmφ芯電容探頭進(jìn)行高精度測(cè)量
• ? 60秒內(nèi)進(jìn)行12,000點(diǎn)掃描/高速測(cè)量