日本昭和電子硅晶片非接觸式紅外光測(cè)厚原理介紹

我們以非接觸方式測(cè)量硅晶片、藍(lán)寶石大幅增加、玻璃等的厚度和形狀平臺建設。
我們提出并開發(fā)滿足客戶需求的測(cè)量?jī)x器，例如光學(xué)干涉法和位移計(jì)法。

使用紅外光的非接觸式厚度測(cè)量技術(shù)

紅外線穿過特定的物質(zhì)先進技術。
它是一種利用該特性以非接觸方式測(cè)量特定物質(zhì)厚度的技術(shù)傳承。

由于電子設(shè)備中使用的硅、藍(lán)寶石趨勢、石英和其他化合物的表面經(jīng)過高精度拋光高效流通，因此不能使用接觸式厚度測(cè)量，因?yàn)樗鼤?huì)劃傷表面。
此外有力扭轉，由于材料變形，無法通過接觸式準(zhǔn)確測(cè)量橡膠深入、薄膜形式、軟樹脂等的厚度。

激光和電容通常用于以非接觸方式測(cè)量厚度一站式服務，但這些是位移計(jì)進行培訓，不能測(cè)量絕對(duì)值。絕對(duì)值可以通過我們的紅外光法測(cè)量凝聚力量。

紅外光測(cè)厚原理

當(dāng)紅外光投射到工件上時(shí)關鍵技術，它首先在表面上反射。
此外，紅外光通過工件內(nèi)部并在背面反射有所提升。
表面反射光和背面反射光被光學(xué)探頭接收，利用前后表面反射光的時(shí)間差作為光干涉差來測(cè)量厚度參與能力。

可以在多層中進(jìn)行單獨(dú)的厚度測(cè)量

從這個(gè)原理來看法治力量，在如上圖所示的多層工件的情況下，可以從每個(gè)反射光的干涉差來測(cè)量單個(gè)厚度新的力量。

以上是PC上顯示反射光干涉狀態(tài)的界面技術研究。
從波形的左邊看，它變成了R1到R4的干擾波分享。每個(gè)干涉差（Peak to Peak）是每一層的厚度現場。

絕對(duì)值測(cè)量的優(yōu)點(diǎn)

《相對(duì)值的測(cè)量》

位移傳感器是一種相對(duì)值測(cè)量，將距離差作為厚度測(cè)量開展研究。因此高效，有必要準(zhǔn)備一個(gè)參考平面（零點(diǎn)）。
此外至關重要，如果到參考平面的距離 (Gs) 并不總是恒定的質量，則會(huì)出現(xiàn)錯(cuò)誤。如果不能保持或隨時(shí)間變化表示，則必須為每次測(cè)量重新設(shè)置零點(diǎn)不久前。

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由于紅外光的測(cè)量是通過從正面和背面反射光的干涉差異獲得的，因此只需將工件放在傳感器頭下方即可測(cè)量厚度的絕對(duì)值。
即使到工件的距離（Ga）有輕微波動(dòng)機構，如果范圍小于最大測(cè)量厚度（約4毫米）-工件厚度（t）非常激烈，測(cè)量值和精度也不會(huì)受到影響。

華僑城納米

☆ 如果是允許紅外光通過的物質(zhì)更適合，可以在不使材料變形的情況下測(cè)量厚度技術交流。

☆ 可測(cè)量厚度絕對(duì)值

☆ 可進(jìn)行多層測(cè)量

☆ 測(cè)量距離可任意設(shè)置，最大可達(dá)1000mm左右引人註目，可保持0.1μm的測(cè)量精度關註。