半導(dǎo)體晶圓片在加工過(guò)程中目視檢查燈的使用

晶圓片是由多晶硅（多晶硅是不能用來(lái)做半導(dǎo)體電路）摻雜練成單晶硅通過(guò) Czochralski (CZ) 方法生長(zhǎng)成硅錠長期間，硅錠用金剛石鋸來(lái)準(zhǔn)確切割成晶圓片。晶圓片再進(jìn)行研磨技術研究，打薄是目前主流，蝕刻、清洗現場、倒角便利性、拋光……步驟，形成晶圓片成品高效。

晶圓片拋光面用來(lái)生產(chǎn)電路分析，這面必須沒有任何突起、微紋質量、劃痕和殘留損傷。拋光過(guò)程分為兩個(gè)步驟，切削和最終拋光不久前。切削過(guò)程是去除硅上薄薄的一層緊迫性，以生產(chǎn)出表面沒有損傷的晶圓片。最終拋光并不去除任何物質(zhì)機構，只是從拋光表面去除切削過(guò)程中產(chǎn)生的微坑非常激烈。

拋光后，晶圓片要通過(guò)一系列清洗槽的清洗更適合，這一過(guò)程是為去除表面顆粒技術交流、金屬劃痕和殘留物。之后引人註目，要經(jīng)常進(jìn)行背面擦洗以去除最小的顆粒關註。這些晶圓片經(jīng)過(guò)清洗后，將他們按照最終用戶的要求分類空間載體，并在高強(qiáng)度半導(dǎo)體晶圓片檢查燈下檢查體製，以便發(fā)現(xiàn)不必要的顆粒或其他缺陷即將展開。一旦通過(guò)一系列的嚴(yán)格檢測(cè)向好態勢，最終的晶圓片即被包裝在片盒中并用膠帶密封相對簡便。然后把它們放在真空封裝的塑料箱子里，外部再用防護(hù)緊密的箱子封裝更默契了，以確保離開超凈間時(shí)沒有任何顆粒和濕氣進(jìn)入片盒特性。

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