SEM 樣品金屬涂層設(shè)備MSP-1S的特點

磁控濺射是眾多獲得高質(zhì)量的薄膜技術(shù)當(dāng)中使用廣泛的一種鍍膜工藝,采用新型陰極使其擁有很高的靶材利用率和高沉積速率,廣東振華科技真空磁控濺射鍍膜工藝現(xiàn)已廣泛用于大面積基材的鍍膜當(dāng)中.該工藝不僅用于單層膜的沉積,還可鍍制多層的薄膜,此外,還用于卷繞工藝中用于包裝膜、光學(xué)膜落到實處、貼膜等膜層鍍制服務水平。

磁控濺射工藝的主要優(yōu)點是可以使用反應(yīng)性或非反應(yīng)性鍍膜工藝來沉積這些材料的膜層,并且可以很好地控制膜層成分、膜厚技術創新、膜厚均勻性和膜層機械性能等.該工藝具備以下特點:

1處理方法、沉積速率大.由于采用高速磁控電極,可獲得的離子流很大,有效提高了此工藝鍍膜過程的沉積速率和濺射速率.與其它濺射鍍膜工藝相比,磁控濺射的產(chǎn)能高、產(chǎn)量大優化服務策略、于各類工業(yè)生產(chǎn)中得到廣泛應(yīng)用關規定。

2發展基礎、功率效率高.磁控濺射靶一般選擇200V-1000V范圍之內(nèi)的電壓,通常為600V,因為600V的電壓剛好處在功率效率的最高有效范圍之內(nèi)。

3建強保護、濺射能量低.磁控靶電壓施加較低,磁場將等離子體約束在陰極附近,可防止較高能量的帶電粒子入射到基材上同期。

4、基片溫度低.可利用陽極導(dǎo)走放電時產(chǎn)生的電子,而不必借助基材支架接地來完成,可以有效減少電子轟擊基材,因而基材的溫度較低,非常適合一些不太耐高溫的塑料基材鍍膜使命責任。

5效果、磁控濺射靶表面不均勻刻蝕.磁控濺射靶表面刻蝕不均是由靶磁場不均所導(dǎo)致,靶的局部位置刻蝕速率較大,使靶材有效利用率較低(僅20%-30%的利用率).因此,想要提高靶材利用率,需要通過一定手段將磁場分布改變,或者利用磁鐵在陰極中移動,也可提高靶材利用率。

6合規意識、復(fù)合靶.可制作復(fù)合靶鍍合金膜,目前,采用復(fù)合磁控靶濺射工藝已成功鍍上了Ta-Ti合金密度增加、(Tb-Dy)-Fe以及Gb-Co合金膜.復(fù)合靶的結(jié)構(gòu)有四種,分別是圓塊鑲嵌靶、方塊鑲嵌靶創新內容、小方塊鑲嵌靶以及扇形鑲嵌靶,其中以扇形鑲嵌靶結(jié)構(gòu)的使用效果為佳機遇與挑戰。

7、應(yīng)用范圍廣.磁控濺射工藝可沉積元素有很多,常見的有:Ag善於監督、Au提單產、C、Co至關重要、Cu、Fe效果、Ge有所應、Mo、Nb合作關系、Ni著力提升、Os、Cr傳遞、Pd融合、Pt、Re相關性、Rh完成的事情、Si、Ta穩定、Ti改造層面、Zr、SiO品質、AlO利用好、GaAs、U解決問題、W系列、SnO等。

●用一個按鈕自動涂層。沒有任何繁瑣的操作慢體驗。

● φ標(biāo)準裝備50mm Au-pd目標(biāo)著力增加。（購買主機時可變更為可選目標(biāo)。）

●采用低施加電壓下減輕離子損傷的磁控管方式重要組成部分。

●因為體積小流程、重量輕，所以不選擇設(shè)置場所勃勃生機。

●在SEM的預(yù)處理中發(fā)揮實力助力各業。