在半導(dǎo)體制造領(lǐng)域標準，“潔凈" 是貫穿全流程的核心準(zhǔn)則 —— 從晶圓清洗、薄膜沉積到光刻蝕刻環境，每一個環(huán)節(jié)對環(huán)境與物料的純度要求都達(dá)到了納米級甚至原子級標(biāo)準(zhǔn)主要抓手。其中，工藝氣體的濕度管控尤為關(guān)鍵：即使微量水汽（露點溫度高于 - 60℃dp）重要的角色，也可能與硅晶圓發(fā)生化學(xué)反應(yīng)生成氧化層空間載體，導(dǎo)致芯片電路短路；或在低溫工藝中凝結(jié)成微小液滴要落實好，破壞光刻膠涂層精度即將展開；更可能與特種工藝氣體（如氨氣、硅烷）反應(yīng)生成雜質(zhì)顆粒相對簡便，直接影響芯片良率創新科技。TEKHEN 防爆露點傳感器 TK-100TR-EX 憑借其高精度、高穩(wěn)定性與適配性特性，成為半導(dǎo)體制造中氣體濕度管控的 “精準(zhǔn)衛(wèi)士"服務機製。
一、半導(dǎo)體制造對氣體濕度的嚴(yán)苛要求：為何必須精準(zhǔn)控濕共創輝煌？
半導(dǎo)體制造中培訓，工藝氣體（如氮氣、氧氣國際要求、氫氣紮實、氬氣等）不僅是載氣、保護(hù)氣新趨勢，更是部分制程的核心原料可能性更大，其濕度水平直接關(guān)聯(lián)三大關(guān)鍵環(huán)節(jié)：
晶圓氧化與腐蝕防控：硅晶圓是半導(dǎo)體芯片的基底，在高溫沉積或清洗工藝中新體系，若氣體中水汽含量超標(biāo)（露點＞-50℃dp）使命責任，水汽會與硅表面發(fā)生氧化反應(yīng)生成 SiO?薄膜。這層 “意外氧化層" 會改變晶圓導(dǎo)電性能，導(dǎo)致后續(xù)電路圖案蝕刻偏差追求卓越，甚至造成芯片功能失效發展機遇。
光刻工藝精度保障：光刻環(huán)節(jié)需要在晶圓表面涂覆光刻膠，并通過紫外線曝光形成電路圖案性能。若環(huán)境或載氣中存在微量水汽，會使光刻膠涂層出現(xiàn) “針孔" 或 “氣泡"，曝光后電路邊緣模糊強化意識，無法滿足 7nm聽得進、5nm 等先進(jìn)制程的線寬精度要求。
設(shè)備與工藝穩(wěn)定性維護(hù)：半導(dǎo)體制造設(shè)備（如氣相沉積設(shè)備合理需求、離子注入機(jī)）的內(nèi)部腔體為高真空或高壓環(huán)境全技術方案，若氣體攜帶水汽進(jìn)入，可能在腔體壁凝結(jié)成液滴先進水平，與腔體金屬材質(zhì)反應(yīng)生成銹蝕顆粒重要的；同時，水汽還可能與工藝氣體（如硅烷 SiH?）反應(yīng)生成固態(tài)硅氧化物共享，堵塞氣體管路或噴嘴高端化，導(dǎo)致設(shè)備停機(jī)維護(hù)，增加生產(chǎn)成本姿勢。
據(jù)行業(yè)數(shù)據(jù)統(tǒng)計充分發揮，因氣體濕度管控不當(dāng)導(dǎo)致的半導(dǎo)體芯片良率下降，平均會使企業(yè)生產(chǎn)成本增加 15%-20%重要平臺。因此相互融合，選擇一款能滿足 “高精度、寬適配生動、高可靠" 的露點監(jiān)測設(shè)備不要畏懼，是半導(dǎo)體制造企業(yè)的必然需求。
二智慧與合力、TEKHEN TK-100TR-EX 傳感器：匹配半導(dǎo)體需求的核心技術(shù)優(yōu)勢
針對半導(dǎo)體制造的高潔凈規定、高穩(wěn)定性要求可持續，TEKHEN TK-100TR-EX 防爆露點傳感器從測量精度措施、適配性、安全性等維度進(jìn)行了專項優(yōu)化情況，契合工藝場景需求：
1. 超寬量程 + 高精度，覆蓋全流程濕度監(jiān)測需求
半導(dǎo)體制造不同環(huán)節(jié)對氣體露點的要求差異較大：例如晶圓清洗環(huán)節(jié)需控制露點≤-40℃dp，而先進(jìn)光刻環(huán)節(jié)則要求露點≤-70℃dp堅持好。TEKHEN TK-100TR-EX 的測量范圍覆蓋 **-100℃~+20℃dp**開放要求，不僅能滿足半導(dǎo)體全流程的濕度監(jiān)測需求，更能精準(zhǔn)捕捉微量水汽變化 —— 其測量精度達(dá)**±2℃dp**，在 - 60℃~-20℃dp（半導(dǎo)體核心管控區(qū)間）的精度偏差可控制在 ±1.5℃dp 內(nèi)緊密相關，確保數(shù)據(jù)真實反映氣體濕度狀態(tài)大幅增加，為工藝調(diào)整提供可靠依據(jù)。
同時重要組成部分，該傳感器采用電容法測量原理服務延伸，檢測元件通過吸附水汽改變電容值，響應(yīng)速度快（從 - 60℃dp 階躍到 - 30℃dp 的響應(yīng)時間＜10 秒）傳承，能實時追蹤氣體濕度波動貢獻力量，避免因滯后性導(dǎo)致的管控失準(zhǔn)。
2. 寬壓 + 寬流量適配具有重要意義，兼容半導(dǎo)體復(fù)雜工藝環(huán)境
半導(dǎo)體制造中前景，工藝氣體的輸送壓力與流量因設(shè)備不同差異顯著：例如氣相沉積設(shè)備的氣體壓力可達(dá) 10MPa，而載氣輸送流量通巢鷻C？刂圃?1~5L/min進一步。TEKHEN TK-100TR-EX 具備10??Pa~30MPa的超寬工作壓力范圍，既能適配高真空的離子注入機(jī)多種，也能滿足高壓工藝設(shè)備的監(jiān)測需求覆蓋範圍；流量適配性同樣出色 —— 采用傳感器塊時支持1~20L/min流量，直接插入式安裝支持0.5~10m/s流速功能，無需額外調(diào)整工藝氣體參數(shù)前沿技術，即可無縫集成到現(xiàn)有氣體管路中。
此外積極性，傳感器的檢測元件采用惰性材料封裝逐漸完善，與半導(dǎo)體常用工藝氣體（氮氣、氬氣有所提升、氫氣等）無化學(xué)反應(yīng)了解情況，且表面經(jīng)過特殊鍍膜處理，不易吸附粉塵或有機(jī)雜質(zhì)法治力量，契合半導(dǎo)體行業(yè)的高潔凈標(biāo)準(zhǔn)長期間，避免對工藝氣體造成二次污染。
3. 本質(zhì)安全型防爆設(shè)計技術研究，適配潔凈車間安全規(guī)范
雖然半導(dǎo)體潔凈車間以惰性氣體為主是目前主流，但部分工藝（如氫氣退火）會使用易燃易爆氣體，且車間內(nèi)存在大量精密電氣設(shè)備現場，對監(jiān)測設(shè)備的安全性要高便利性。TEKHEN TK-100TR-EX 獲得日本 TIIS 防爆認(rèn)證，可與絕緣屏障組合構(gòu)成本質(zhì)安全型防爆系統(tǒng)高質量，能用于0 區(qū)危險場所（氣體持續(xù)或長時間存在的區(qū)域）信息化，即使在氫氣泄漏等場景下力量，也不會產(chǎn)生電火花引發(fā)安全事故，為潔凈車間的安全生產(chǎn)提供雙重保障。
4. 標(biāo)準(zhǔn)化信號輸出方式之一，便于與工藝控制系統(tǒng)聯(lián)動
半導(dǎo)體制造依賴自動化控制系統(tǒng)（如 PLC、DCS）實現(xiàn)工藝參數(shù)的實時調(diào)控深刻認識。TEKHEN TK-100TR-EX 提供4-20mA 模擬信號輸出質生產力，可直接接入車間現(xiàn)有控制系統(tǒng)，無需額外加裝信號轉(zhuǎn)換器非常激烈；同時支持 12~28VDC 寬電壓供電提升行動，功耗≤1W，不會對車間供電系統(tǒng)造成負(fù)擔(dān)技術交流。工作人員可通過控制系統(tǒng)實時查看氣體露點數(shù)據(jù)交流，當(dāng)濕度超標(biāo)時，系統(tǒng)可自動觸發(fā)報警或調(diào)整除濕設(shè)備關註，實現(xiàn) “監(jiān)測 - 預(yù)警 - 調(diào)控" 的閉環(huán)管理溝通協調。
三、TEKHEN TK-100TR-EX 在半導(dǎo)體制造中的典型應(yīng)用場景
憑借上述技術(shù)優(yōu)勢提供堅實支撐，TEKHEN TK-100TR-EX 已在半導(dǎo)體制造的多個核心環(huán)節(jié)實現(xiàn)成熟應(yīng)用活動，為工藝穩(wěn)定與良率提升提供支持：
1. 工藝氣體輸送管路監(jiān)測
在半導(dǎo)體工廠的中央氣體供應(yīng)系統(tǒng)（CGS）中，工藝氣體從儲罐輸送到各設(shè)備的管路長達(dá)數(shù)十米向好態勢，若管路接頭密封不嚴(yán)相對簡便，可能導(dǎo)致外界濕氣滲入。將 TEKHEN TK-100TR-EX 安裝在管路關(guān)鍵節(jié)點（如設(shè)備入口前）更默契了，可實時監(jiān)測氣體露點變化：當(dāng)露點高于設(shè)定閾值（如 - 50℃dp）時特性，系統(tǒng)立即報警，工作人員可及時排查泄漏點流程，避免不合格氣體進(jìn)入設(shè)備共創輝煌。
2. 光刻膠涂覆與曝光環(huán)節(jié)濕度管控
光刻環(huán)節(jié)對環(huán)境與載氣濕度的要求最為嚴(yán)苛，若載氣（通常為氮氣）中水汽超標(biāo)等特點，會直接影響光刻膠的涂覆均勻性使用。在光刻設(shè)備的載氣入口處安裝 TEKHEN TK-100TR-EX，可實時監(jiān)測氮氣露點不合理波動，確保其穩(wěn)定控制在 - 70℃dp 以下建言直達；同時，傳感器數(shù)據(jù)可與光刻設(shè)備的溫度控制系統(tǒng)聯(lián)動上高質量，當(dāng)濕度波動時精準調控，自動調(diào)整除濕裝置功率，避免因濕度變化導(dǎo)致的光刻偏差建設應用。
3. 晶圓退火工藝的氫氣濕度監(jiān)測
部分半導(dǎo)體工藝（如硅晶圓退火）需使用氫氣作為保護(hù)氣，以防止晶圓氧化。氫氣屬于易燃易爆氣體應用的因素之一，且其濕度若超標(biāo)（露點＞-40℃dp）基礎，會在高溫下與晶圓表面反應(yīng)生成雜質(zhì)。TEKHEN TK-100TR-EX 的防爆設(shè)計可確保在氫氣環(huán)境中安全運行奮勇向前，同時精準(zhǔn)監(jiān)測氫氣露點引領作用，保障退火工藝的穩(wěn)定性，減少晶圓表面缺陷經驗。
四、本土化服務(wù) + 標(biāo)準(zhǔn)溯源，為半導(dǎo)體企業(yè)提供長期保障
除產(chǎn)品性能外敢於監督，TEKHEN 還為半導(dǎo)體企業(yè)提供全周期服務(wù)支持：該傳感器采用國內(nèi)開發(fā)對外開放、制造、校準(zhǔn)模式組建，可追溯至國家標(biāo)準(zhǔn)（中國計量科學(xué)研究院校準(zhǔn)）用的舒心，確保數(shù)據(jù)的準(zhǔn)確性與一致性；同時高端化，TEKHEN 擁有專業(yè)的技術(shù)團(tuán)隊全面展示，可根據(jù)半導(dǎo)體企業(yè)的工藝需求提供定制化安裝方案（如潔凈室專用支架、防干擾布線設(shè)計）充分發揮，并提供上門校準(zhǔn)服務(wù)服務，避免因傳感器校準(zhǔn)導(dǎo)致的設(shè)備停機(jī)時間。
對于半導(dǎo)體制造企業(yè)而言相互融合，TEKHEN TK-100TR-EX 不僅是一款高精度的露點監(jiān)測設(shè)備提高，更是工藝穩(wěn)定、良率提升的 “可靠伙伴"—— 通過精準(zhǔn)管控氣體濕度用上了，從源頭減少因水汽導(dǎo)致的工藝缺陷結構，助力企業(yè)在先進(jìn)制程競爭中占據(jù)優(yōu)勢。
