關于shinkuu射頻濺射的說明

什么是射頻濺射發展目標奮鬥？

RF濺射是一種使用稱為RF（射頻）的高頻帶電源的濺射方法。它常被用作直流濺射無法進行的絕緣靶材的濺射電源更多的合作機會。
盡管可以濺射各種靶材延伸，但它往往比直流濺射源更昂貴，因為它需要安裝射頻匹配單元等服務好。本頁面提供說明新趨勢，幫助您了解射頻濺射相關的原理和基礎知識。

射頻濺射原理及絕緣靶材

在直流濺射中共謀發展，通過向靶材施加負直流電壓學習，吸引正離子并發(fā)生濺射現(xiàn)象。然而聽得懂，由于絕緣目標不導電新的力量，目標表面會立即被吸引離子的電荷充電，從而無法吸引下一個離子便利性。

另一方面全面展示，RF是具有頻率的交流電源，因此施加到目標的電壓在正負之間交替深刻認識。因此核心技術，正離子和帶負電的電子都可以被吸引，使得可以連續(xù)濺射絕緣靶而不引起充電主動性。

絕緣靶材和背板

許多絕緣靶材都很脆弱創造性，并且經(jīng)常由于濺射薄膜沉積過程中的熱應力而破裂前沿技術。因此，當使用絕緣靶時性能，通常將絕緣靶與銦等結合到被稱為背板的銅板上并進行濺射放電多種方式。這并不是為了防止裂紋本身，而是為了防止破裂的目標分崩離析技術創新。如果目標粘合到背板上深入交流研討，即使破裂，它也會保持其形狀廣泛應用，因此您可以繼續(xù)按原樣使用它關註度。

射頻匹配

射頻濺射可能需要根據(jù)所使用的靶材和配方調(diào)整匹配單元。這是直流濺射不需要的一種準備工作哪些領域。

通常敢於挑戰，將匹配單元內(nèi)部的可變電容器移動到外部，以抵消反射波并設置放電區(qū)域建立和完善。然而提供了遵循，有時僅靠這種方法無法產(chǎn)生穩(wěn)定的放電，此時請打開匹配單元并進行內(nèi)部調(diào)整大型。除了可變電容器之外服務效率，匹配單元還具有固定電容器和線圈，并且通過移除（或附接）該固定電容器來進行調(diào)整可持續。此外，線圈的每一匝都切有一個螺孔體製，因此可以根據(jù)電線連接到哪個螺孔來改變匝數(shù)構建。這里可以通過改變線圈長度來進行調(diào)整。

此外服務延伸，匹配區(qū)域可能會因微小的變化而發(fā)生變化共創輝煌。如果沒有放電或無法匹配，當然需要調(diào)整匹配單元進一步，但可以通過審查濺射時的真空度大部分、電極罩的形狀、地線的連接方式來改進實際需求、同軸電纜的走線方式等也有解決方案。

RF點火（點火）

射頻濺射往往比直流濺射更難點燃等離子體。造成這種情況的原因之一是上面提到的匹配善謀新篇，但即使在放電時進行匹配調(diào)整也可能出現(xiàn)這種情況基礎。在這種情況下，需要通過向濺射陰極施加直流電壓作為點火觸發(fā)還不大，或者通過暫時增加工藝氣體流量以降低真空度來點燃材料高產。這是因為濺射放電在真空度差（腔室壓力高）的區(qū)域更容易點燃信息化技術。然而，如果在真空條件較差的條件下進行成膜良好，則會出現(xiàn)薄膜表面不均勻逐步顯現、速率下降等問題，因此僅在點火時真空度變差引領，之后維持目標真空度放電時用于將壓力降低到一定程度自動化裝置。

濺射率

濺射速率是指通過濺射放電形成薄膜的速度。單位以 ?/sec（埃每秒）或 nm/sec（納米每秒）表示勞動精神。

即使輸出相同的功率開展攻關合作，RF濺射的濺射速率也比DC濺射低。這是因為RF是交流電源預下達，因此在效率方面不可避免地不如直流電源的有效手段。不過，不必太擔心方案，濺射率不會大幅下降關鍵技術。濺射速率也可以通過調(diào)整T/S距離（靶材到基材的距離）來增加或減少。

T/S之間的補充距離

如上所述深入，T/S距離影響濺射速率技術研究。通過縮短T/S距離，濺射速率變得更快開展研究，相反姿勢，通過增加T/S距離，濺射速率變得更慢首要任務。然而綠色化，如果縮短T/S間隔以加快濺射速率，沉積薄膜的厚度分布將相應惡化發展。特別是保持穩定，隨著電路板面積的增加，這種趨勢會變得更強面向，因此請小心支撐作用。

在其他情況下，縮短T/S距離可能會因等離子體而對基板造成損壞互動式宣講，相反效高性，拉長T/S距離可能會導致氮從反應性目標（例如氮化物）中逸出，有時無法形成氮化物自動化。根據(jù)需要形成薄膜節點。使用濺射設備時，根據(jù)用途找到合適的T/S距離也很重要落地生根。

必要的設備

當使用直流濺射時的特點，您只需要一個直流電源健康發展，但使用射頻濺射時，除了專用的射頻發(fā)生器之外大數據，還需要一個匹配單元長效機製，如上所述。因此數字技術，與直流濺射相比奮戰不懈，其引入成本要高得多。匹配單元也有兩種類型：一種是手動操作內(nèi)部可變電容器措施，另一種是在反饋射頻輸出的同時自動調(diào)整自身大大縮短。后一種類型更昂貴。

另外緊密相關，如果使用射頻電源更默契了，還需要申請并獲得使用高頻設備的許可，因此引入射頻濺射需要一定的成本和精力培訓。

盡管在成本和可用性方面不如直流濺射不合理波動，但射頻濺射具有能夠使用多種靶材的巨大優(yōu)勢，并且在許多工作場所得到使用重要工具。

射頻濺射同時放電

有時您可能想要同時放電多個射頻濺射以獲得所需的薄膜積極拓展新的領域。這時需要注意的是頻率間的干擾。 RF以13.56 MHz的頻率振蕩更優質，多個以該頻率振蕩的濺射源可能會相互干擾相對開放，導致儀表和放電異常。作為解決這些問題的對策脫穎而出，一些射頻發(fā)生器型號具有稍微改變頻率以防止相互干擾的功能拓展應用。考慮同時放電時請記住這些事項廣泛應用。

當濺射源停止放電時

您是否曾經(jīng)擁有一臺正常工作的濺射裝置關註度，但有一天突然停止產(chǎn)生濺射放電新產品，或者開始產(chǎn)生異常放電去完善？原因可能是濺射源臟了。
濺射源的接地屏蔽和陰極之間的間隙非常嚴格長遠所需。因此求索，如果樣品薄片堆積在屏蔽上并且與陰極的關系發(fā)生變化，則可能會發(fā)生突然的異常放電規模。由于其特性穩定發展，鍍膜設備越用越臟，因此我們建議經(jīng)常清潔和維護聯動，以確保長期安全使用增持能力。

另外共同努力，主流的成膜濺射源是磁控管型，靶材內(nèi)置磁鐵追求卓越，但長期使用磁鐵的磁力會退磁逐漸完善。當該磁力低于某個閾值時，濺射源將不再放電合理需求。
磁鐵也會因熱量而消磁是目前主流，因此即使是新的濺射源，如果長時間高輸出放電也會失去磁力高質量。了解濺射源的冷卻性能也很重要充分發揮，以防止這種情況發(fā)生。

即使進行濺射放電也無法達到成膜率時

在進行濺射成膜時管理，很少會出現(xiàn)濺射率達不到要求或即使等離子體放電也無法進行成膜的情況設計。這些可能是由目標表面的氧化或腔室中的殘留氣體引起的。
例如基礎，如果將鋁或鐵等容易氧化的靶材保存在大氣中提供堅實支撐，則靶材表面的氧化會加劇，即使進行濺射高產，放電率也會較低信息化技術。在這種情況下，最好用射頻進行預濺射并進行清洗良好，直到靶材表面的氧化膜消失逐步顯現，即可獲得良好的速率。

此外引領，氮化物等絕緣靶材的濺射速率比導電靶材低得多快速增長。因此，如果成膜前腔室沒有充分抽真空占，就會殘留大量氣體高質量，即使進行濺射也很少會達不到濺射速率。為了防止這種情況發(fā)生激發創作，最好在沉積絕緣靶材之前確保排空腔室前景。

ICP（感應耦合等離子體）放電

普通磁控濺射成膜采用CCP（電容耦合等離子體）方法，但也有ICP（電感耦合等離子體）放電組件用于清潔和活化反應增幅最大。這涉及到在真空中向線圈施加射頻共享應用，使線圈內(nèi)流動的氣體電離或自由基化，并將其釋放到基板上標準。

為了清潔（蝕刻）目的示範推廣，使稀有氣體（例如Ar）流動、電離并釋放到基板上以促進基板表面上的濺射。
還可以通過使用射頻使氮或氧流入自由基并將其釋放到基板上來促進基板上的氮化和氧化反應大幅增加。

該成分不僅可以單獨使用特性，還可以與分子束外延裝置等組合使用，在利用K電池成膜的同時釋放自由基并促進活性反應等特點。 （簡稱RF-MBE）

真空器件用射頻濺射設備和射頻元件

射頻濺射設備[VRF-100S]

*照片是正在開發(fā)的原型更加完善。

這是配備有RF電源的高頻濺射裝置〗ㄔO應用？尚纬裳趸ぶ巫饔?、絕緣膜、多層膜（5種來源）動力。

Vacuum Device的射頻濺射設備VRF-100S標配5個可切換的靶材同時。

產(chǎn)品詳情頁面　?

射頻元件【VMC系列】

我們提供各種嵌入式射頻組件。

有與磁性材料兼容的1英寸效高性、2英寸和強磁鐵類型模式。

作為選項，還可以打開快門機構提升、氣體引入機構和DC電源高品質。

產(chǎn)品詳情頁面　?

定制產(chǎn)品示例

[安裝射頻濺射槍的定制示例]

這是將射頻組件連接到定制腔室的示例。

這樣支撐能力，如果現(xiàn)有設備有ICF業(yè)務端口可供安裝資源優勢，則可以對射頻部件進行改造。